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硅NPN微波低噪聲晶體管芯片


GL-NE02100是一種具有卓越高頻特性的硅NPN平面外延型晶體管芯片。該芯片采用周期為5μm的梳狀發射極結構,管芯面積適中,阻抗易匹配,主要應用于VHF、UHF和微波頻率的低噪聲、寬帶放大器等領域。該芯片采用硅微波功率器件專用生產線生產,具有較高的電性能和極高的可靠性。


主要特點:


低噪聲:


  • NFo=1.3dB@f=900MHz

  • NFo=2.1dB@f=1.8GHz


高增益:


  • Gum=17.5dB@f=900MHz

  • Gum=11.05dB@f=1.8GHz



高截止頻率


  • fT=8.0 GHz



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